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日経クロステック-エネルギー
(2024/5/19 15:46:23)
STMicroが第3世代SiCパワーMOSFET、まずは車載向け
(2021/12/23 5:00:00)
伊仏合弁STMicroelectronics（STマイクロエレクトロニクス）は、同社の第3世代に当たるSiCパワーMOSFETを開発した。特徴は、前世代品に比べて性能指数（FOM：Figure
Of
Merit）を改善したこと。同社によると、「オン抵抗とチップ面積の積で求めるFOMは30％程度、オン抵抗と総ゲート容量の積で求めるFOMは50％程度改善した」という。
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