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STMicroが第3世代SiCパワーMOSFET、まずは車載向け (2021/12/23 5:00:00)
伊仏合弁STMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)は、同社の第3世代に当たるSiCパワーMOSFETを開発した。特徴は、前世代品に比べて性能指数(FOM:Figure
Of
Merit)を改善したこと。同社によると、「オン抵抗とチップ面積の積で求めるFOMは30%程度、オン抵抗と総ゲート容量の積で求めるFOMは50%程度改善した」という。
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