旭化成が、新しい半導体「窒化アルミニウム（AlN）」の実用化に向けた取り組みを加速させている。名古屋大学と共同で、AlN素子の作製に必要な基本構造を初めて実現した。この構造で物性値を測定したところ、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）を上回る特性を示した。旭化成は米子会社を通じて素子製造に不可欠なAlNウエハーを手掛ける。パワー素子や通信用高周波素子に向けたAlNウエハーを2030年ごろに事業化するのが目標だ。